Kingston Technology ValueRAM módulo de memoria 2 GB 1 x 2 GB DDR3
- Marca: Kingston Technology
- Categoría:
- Número de referencia: KVR16S11S6/2
- EAN: 0740617226744 5055665722175 50 ...5722175 5054533574830 5054629414873 7406172267440 0041113809142 5425656770735 4053162765795 5054484574835mayor
ValueRam
Offer details
Precios comerciales
| Distribuidor | Producto | Número de referencia | Stock | Actualizado | Precio |
|---|---|---|---|---|---|
|
2gb 1600mhz ddr3 non-ecc cl11 mem |
MDM0420165 | |||
| Desyman |
SODIMM 2GB 1600MHZ KINGSTON KVR16S11S6/2 |
SODIMM KVR16S11S6/ 2 | |||
|
2GB DDR3-1600 SODIMM |
KVR16S11S6/2 | |||
|
2GB 1600 DDR3 NONECC SODIMM SRX16 |
KVR16S11S6/2 |
Precios al por menor
| Comerciante | Producto | Estado | Actualizado | Precio |
|---|---|---|---|---|
| Amazon | New | 21,71 € | ||
| Amazon | New | 19,00 € | ||
| Amazon | New | 17,92 € | ||
| Amazon | New | 26,05 € | ||
| Amazon | New | 25,69 € | ||
| Amazon | New | 36,57 € | ||
| Amazon | New | 15,98 € |
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Descripción
Kingston Technology es el mayor fabricante independiente de memoria del mundo y cuenta con una excelente reputación por la calidad de sus productos y sus precios competitivos. Su memoria ValueRAM constituye un estándar en el sector y le ayudará a potenciar al máximo el rendimiento y la productividad de su sistema. Además, los módulos de memoria ValueRAM de Kingston Technology están fabricados con componentes de primer nivel (Grade A) y tienen garantía de por vida.
Especificaciones
| Control de energía | |
|---|---|
| Voltaje de memoria | 1.5 V |
| Detalles técnicos | |
| Memoria interna | 2048 MB |
| Disposición de memoria | 1 x 2048 MB |
| Organización de los chips | X16 |
| Velocidad del reloj de bus | 1600 MHz |
| País de origen | Taiwán |
| Indicación de error | No |
| Memoria | |
| Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 2 GB |
| Memoria interna | 2 GB |
| Tipo de memoria interna | DDR3 |
| Componente para | Portátil |
| Forma de factor de memoria | 204-pin SO-DIMM |
| Latencia CAS | 11 |
| Voltaje de memoria | 1.5 V |
| Ancho de datos | 64 bit |
| Placa de plomo | Oro |
| Configuración de módulos | 256M X 64 |
| Clasificación de memoria | 1 |
| Características | |
| Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 2 GB |
| Memoria interna | 2 GB |
| Tipo de memoria interna | DDR3 |
| Componente para | Portátil |
| Forma de factor de memoria | 204-pin SO-DIMM |
| Latencia CAS | 11 |
| Voltaje de memoria | 1.5 V |
| Ancho de datos | 64 bit |
| Placa de plomo | Oro |
| Configuración de módulos | 256M X 64 |
| País de origen | Taiwán |
| Clasificación de memoria | 1 |
| Código de Sistema de Armomización (SA) | 84733020 |
| Condiciones ambientales | |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 85 °C |
| Intervalo de temperatura de almacenaje | -55 - 100 °C |
| Peso y dimensiones | |
| Ancho | 67,6 mm |
| Altura | 30 mm |
| Datos logísticos | |
| Código de Sistema de Armomización (SA) | 84733020 |
| Otras características | |
| Memoria interna | 2048 MB |
| Disposición de memoria | 1 x 2048 MB |
| Organización de los chips | X16 |
| Velocidad del reloj de bus | 1600 MHz |
| País de origen | Taiwán |
| Indicación de error | No |
| Código de Sistema de Armomización (SA) | 84733020 |