Kingston Technology ValueRAM KVR16LS11/8 módulo de memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR3L 1600 MHz

  • Marca: Kingston Technology
  • Categoría:
  • Número de referencia: KVR16LS11/8
  • EAN: 0740617219791 5054230226636 40 ...0226636 4058829411763 5054230073070 5054629324776 5054533451506 5054531088865 5054230140826 4913603174893 0740617228311 0731965484979 5054484451501 0807320189244 0163121154998 4017859660008 8800161113524 0132017928845 0804067406481 7406172197914 0163120896035 8800161114484 8800161113944 5425657075044 5054531163111 4053162717800 0731215281501 5053118263428 8800161113654 5053866641899 0657203000322 8800161114644 5054230095645 8800161118024 8800161117904 0888130076429 4893433125930mayor
ValueRam

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8GB DDR3-1600 non-ECC SODIMM 1Rx8 1.35V - KVR16LS11/8

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8gb 1600mhz ddr3l non-ecc cl11 mem

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DDR IIIL 8 GB 1600 Mhz. 1.35V SODIMM KINGSTON

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RAM SODIMM 8GB DDR3 1600MHZ 1.35V

KVR16LS11/8
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MODULO MEMORIA RAM S/O DDR3L 8GB 1600MHz KINGSTON

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Supercompdigital

MODULO SODIMM DDR3L 8GB 1600MHz KINGSTON NO-E

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8GB 1600 DDR3L SODIMM 1.35V Kingston

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Descripción

Kingston Technology es el mayor fabricante independiente de memoria del mundo y cuenta con una excelente reputación por la calidad de sus productos y sus precios competitivos. Su memoria ValueRAM constituye un estándar en el sector y le ayudará a potenciar al máximo el rendimiento y la productividad de su sistema. Además, los módulos de memoria ValueRAM de Kingston Technology están fabricados con componentes de primer nivel (Grade A) y tienen garantía de por vida.

Especificaciones

Control de energía
Voltaje de memoria1.35,1.5 V
Detalles técnicos
Memoria interna8192 MB
Disposición de memoria1 x 8192 MB
Organización de los chipsX8
Velocidad del reloj de bus1600 MHz
País de origenTaiwán
Indicación de errorNo
Memoria
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 8 GB
Memoria interna8 GB
Tipo de memoria internaDDR3L
Velocidad de memoria del reloj1600 MHz
Componente paraPortátil
ECCNo
Forma de factor de memoria204-pin SO-DIMM
Latencia CAS11
Voltaje de memoria1.35,1.5 V
Ancho de datos64 bit
Placa de plomoOro
Configuración de módulos1G X 64
Tiempo de ciclo de fila48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila260 ns
Tiempo activo en fila35 ns
Características
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 8 GB
Memoria interna8 GB
Tipo de memoria internaDDR3L
Velocidad de memoria del reloj1600 MHz
Componente paraPortátil
ECCNo
Forma de factor de memoria204-pin SO-DIMM
Latencia CAS11
Voltaje de memoria1.35,1.5 V
Ancho de datos64 bit
Placa de plomoOro
Configuración de módulos1G X 64
Tiempo de ciclo de fila48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila260 ns
Tiempo activo en fila35 ns
País de origenTaiwán
Código de Sistema de Armomización (SA)84733020
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
Peso y dimensiones
Ancho67,6 mm
Altura30 mm
Datos logísticos
Código de Sistema de Armomización (SA)84733020
Otras características
Memoria interna8192 MB
Disposición de memoria1 x 8192 MB
Organización de los chipsX8
Velocidad del reloj de bus1600 MHz
País de origenTaiwán
Indicación de errorNo
Código de Sistema de Armomización (SA)84733020