Kingston Technology ValueRAM 8GB DDR3 1333MHZ SODIMM módulo de memoria 2 x 4 GB
- Marca: Kingston Technology
- Categoría:
- Número de referencia: KVR13S9S8K2/8
- EAN: 0740617217759 0614574205817 40 ...4205817 4053162765757 5054533250901 5054629185421 5054484250906 0636380083090 7406172177596 5053866623864mayor
ValueRam
Offer details
Precios al por menor
Comerciante | Producto | Estado | Actualizado | Precio |
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Amazon | New | 76,22 € |
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Descripción
Kingston Technology es el mayor fabricante independiente de memoria del mundo y cuenta con una excelente reputación por la calidad de sus productos y sus precios competitivos. Su memoria ValueRAM constituye un estándar en el sector y le ayudará a potenciar al máximo el rendimiento y la productividad de su sistema. Además, los módulos de memoria ValueRAM de Kingston Technology están fabricados con componentes de primer nivel (Grade A) y tienen garantía de por vida.
Especificaciones
Control de energía | |
---|---|
Voltaje de memoria | 1.5 V |
Detalles técnicos | |
Memoria interna | 8192 MB |
Disposición de memoria | 2 x 4096 MB |
Organización de los chips | X8 |
Velocidad del reloj de bus | 1333 MHz |
Indicación de error | No |
Memoria | |
Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 2 x 4 GB |
Memoria interna | 8 GB |
Tipo de memoria interna | DDR3 |
Velocidad de memoria del reloj | 1333 MHz |
Componente para | Portátil |
Forma de factor de memoria | 204-pin SO-DIMM |
Latencia CAS | 9 |
Voltaje de memoria | 1.5 V |
Ancho de datos | 64 bit |
Placa de plomo | Oro |
Configuración de módulos | 512M x 64 |
Tiempo de ciclo de fila | 49,5 ns |
Tiempo de actualización de ciclo de fila | 260 ns |
Tiempo activo en fila | 36 ns |
Perfil SPD | Si |
Clasificación de memoria | 1 |
Características | |
Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 2 x 4 GB |
Memoria interna | 8 GB |
Tipo de memoria interna | DDR3 |
Velocidad de memoria del reloj | 1333 MHz |
Componente para | Portátil |
Forma de factor de memoria | 204-pin SO-DIMM |
Latencia CAS | 9 |
Voltaje de memoria | 1.5 V |
Ancho de datos | 64 bit |
Placa de plomo | Oro |
Configuración de módulos | 512M x 64 |
Tiempo de ciclo de fila | 49,5 ns |
Tiempo de actualización de ciclo de fila | 260 ns |
Tiempo activo en fila | 36 ns |
Perfil SPD | Si |
Clasificación de memoria | 1 |
Condiciones ambientales | |
Intervalo de temperatura operativa | 0 - 85 °C |
Intervalo de temperatura de almacenaje | -55 - 100 °C |
Peso y dimensiones | |
Ancho | 67,6 mm |
Altura | 30 mm |
Otras características | |
Memoria interna | 8192 MB |
Disposición de memoria | 2 x 4096 MB |
Organización de los chips | X8 |
Velocidad del reloj de bus | 1333 MHz |
Indicación de error | No |