Kingston Technology ValueRAM 24GB 1600MHz DDR3L módulo de memoria 3 x 8 GB DDR3 ECC
- Marca: Kingston Technology
- Categoría:
- Número de referencia: KVR16LR11S4K3/24
- EAN: 7406172282122 0740617228212
ValueRam
Offer details
Precios comerciales
| Distribuidor | Producto | Número de referencia | Stock | Actualizado | Precio |
|---|---|---|---|---|---|
|
24GB 1600 DDR3L ECC Reg CL11 |
KVR16LR11S4K3/24 |
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Descripción
Kingston Technology es el mayor fabricante independiente de memoria del mundo y cuenta con una excelente reputación por la calidad de sus productos y sus precios competitivos. Su memoria ValueRAM constituye un estándar en el sector y le ayudará a potenciar al máximo el rendimiento y la productividad de su sistema. Además, los módulos de memoria ValueRAM de Kingston Technology están fabricados con componentes de primer nivel (Grade A) y tienen garantía de por vida.
Especificaciones
| Control de energía | |
|---|---|
| Voltaje de memoria | 1.35,1.5 V |
| Detalles técnicos | |
| Memoria interna | 24576 MB |
| Disposición de memoria | 3 x 8192 MB |
| Organización de los chips | X4 |
| Velocidad del reloj de bus | 1600 MHz |
| Indicación de error | ECC |
| Memoria | |
| Tipo de memoria con búfer | Registered (buffered) |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 3 x 8 GB |
| Memoria interna | 24 GB |
| Tipo de memoria interna | DDR3 |
| Componente para | PC/servidor |
| ECC | Si |
| Forma de factor de memoria | 240-pin DIMM |
| Latencia CAS | 11 |
| Voltaje de memoria | 1.35,1.5 V |
| Ancho de datos | 72 bit |
| Placa de plomo | Oro |
| Configuración de módulos | 1024M x 72 |
| Tiempo de ciclo de fila | 48,125 ns |
| Tiempo de actualización de ciclo de fila | 260 ns |
| Tiempo activo en fila | 35 ns |
| Clasificación de memoria | 1 |
| Características | |
| Tipo de memoria con búfer | Registered (buffered) |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 3 x 8 GB |
| Memoria interna | 24 GB |
| Tipo de memoria interna | DDR3 |
| Componente para | PC/servidor |
| ECC | Si |
| Forma de factor de memoria | 240-pin DIMM |
| Latencia CAS | 11 |
| Voltaje de memoria | 1.35,1.5 V |
| Ancho de datos | 72 bit |
| Placa de plomo | Oro |
| Configuración de módulos | 1024M x 72 |
| Tiempo de ciclo de fila | 48,125 ns |
| Tiempo de actualización de ciclo de fila | 260 ns |
| Tiempo activo en fila | 35 ns |
| Clasificación de memoria | 1 |
| Condiciones ambientales | |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 85 °C |
| Intervalo de temperatura de almacenaje | -55 - 100 °C |
| Peso y dimensiones | |
| Ancho | 133,3 mm |
| Altura | 30 mm |
| Otras características | |
| Memoria interna | 24576 MB |
| Disposición de memoria | 3 x 8192 MB |
| Organización de los chips | X4 |
| Velocidad del reloj de bus | 1600 MHz |
| Indicación de error | ECC |